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产品简介:
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PDTA143ZM,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款预偏置 NPN 型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极电阻(R1=4.7 kΩ)和基极-集电极反馈电阻(R2=47 kΩ),采用 SOT-723 小型表面贴装封装。其典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:适用于微控制器(如ARM、PIC、ESP32)GPIO 输出驱动LED、小型继电器或低功耗指示灯,简化外围偏置电路设计; 2. 开关应用:作为高速开关用于便携式设备中的电源管理、背光控制、蜂鸣器驱动等,具备快速开关特性(fT≈250 MHz)及低饱和压降(VCE(sat)≤0.15 V @ IC=10 mA); 3. 信号调理与传感器接口:配合光耦、霍尔传感器等构成简单放大/整形电路,利用其内置电阻实现稳定偏置,提升抗干扰能力与PCB空间利用率; 4. 消费电子与IoT终端:广泛应用于智能手机配件、可穿戴设备、智能家居节点等对尺寸、功耗和BOM精简要求高的场景。 该器件支持-55°C 至 +150°C工作温度范围,符合AEC-Q101可靠性标准(部分批次),亦适用于工业级环境。其预偏置结构显著减少元件数量、降低设计复杂度并提高生产良率,是替代传统分立BJT+电阻方案的高集成优选。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT883 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PDTA143ZM,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 250µA, 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-2132-2 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |