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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NUP5120X6T2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NUP5120X6T2G价格参考。ON SemiconductorNUP5120X6T2G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载NUP5120X6T2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NUP5120X6T2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NUP5120X6T2G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款 TVS(瞬态电压抑制器)二极管,属于 NUP 系列。该器件主要应用于电路保护领域,用于防止因静电放电(ESD)、雷击、负载突降或其他瞬态事件引起的过电压对敏感电子设备的损害。 应用场景: 1. 消费类电子产品: - 适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的 USB 接口、HDMI 接口、音频接口和数据线的 ESD 保护。 - 可保护摄像头模块、触摸屏控制器和无线通信模块(如 Wi-Fi、蓝牙)免受瞬态电压的影响。 2. 通信设备: - 在路由器、交换机、调制解调器等网络设备中,为以太网端口、光纤接口和其他高速信号线路提供保护。 - 防止雷击或浪涌电流对通信线路造成损坏。 3. 工业控制: - 用于工业自动化设备中的传感器接口、控制信号线路和通信总线(如 RS-232、RS-485)的保护。 - 提高系统在恶劣电磁环境下的可靠性。 4. 汽车电子: - 在车载信息娱乐系统、导航系统和 CAN/LIN 总线中,为接口电路提供抗干扰能力。 - 保护车用摄像头、雷达传感器和无线充电模块免受瞬态电压冲击。 5. 电源管理: - 在 AC/DC 或 DC/DC 转换器中,用于输入/输出端口的过压保护。 - 防止负载突降或短路时产生的瞬态电压对电源芯片的损害。 特性优势: - 低电容设计:适合高速数据传输应用,减少信号失真。 - 高钳位电压:能够有效吸收瞬态能量,保护后级电路。 - 小封装尺寸:采用 X6T2G 封装,节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 - 高可靠性:符合 AEC-Q101 标准,适用于严苛的工作环境。 综上所述,NUP5120X6T2G 广泛应用于需要高性能 ESD 和瞬态电压保护的场景,确保电子设备在复杂电磁环境中稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 5VWM SOT563TVS二极管阵列 5 Line Suppressor Array |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor NUP5120X6T2G- |
数据手册 | |
产品型号 | NUP5120X6T2G |
PCN设计/规格 | |
不同频率时的电容 | 54pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | SOT-563 |
其它名称 | NUP5120X6T2GOSCT |
击穿电压 | 6.2 V |
功率-峰值脉冲 | 90W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单向通道 | 5 |
双向通道 | - |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-563-6 |
尺寸 | 1.2 mm W x 1.6 mm L |
峰值脉冲功率耗散 | 90 W |
工作温度 | -40°C ~ 125°C |
工作电压 | 5 V |
工厂包装数量 | 4000 |
应用 | 通用 |
标准包装 | 1 |
电压-击穿(最小值) | 6.2V |
电压-反向关态(典型值) | 5V(最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | - |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | NUP5120X6 |
通道 | 5 Channels |