ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BLF578,112
Datasheet下载- 型号： BLF578,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF578,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF578,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF578,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双），共源 50V 40mA 225MHz 24dB 1200W SOT539A。您可以下载BLF578,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF578,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF578,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，属于高性能 LDMOS 器件，主要应用于高功率射频放大场景。该器件广泛用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如感应加热、等离子体生成和介质加热设备。其工作频率范围覆盖数十 MHz 至数百 MHz，具备高效率、高增益和良好的热稳定性，适合连续波（CW）和脉冲工作模式。 此外，BLF578,112 也常见于广播发射机中的射频功率放大级，特别是在 VHF 和 UHF 频段的模拟与数字电视（DTV）发射系统中，提供可靠的高功率输出。由于其坚固的结构设计和优异的耐用性，该器件在恶劣工作环境下仍能保持稳定性能，因此也适用于某些专业通信和航空电子系统中的高可靠性射频放大需求。 总体而言，BLF578,112 凭借其高功率处理能力（可达数百瓦）和出色的可靠性，成为多种高要求射频功率应用中的关键组件，尤其适合需要长时间稳定运行的工业与广播领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF578,112 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT539A |
| 其它名称 | 568-5103-5 |
| 功率-输出 | 1000W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | SOT539A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 110V |
| 电流-测试 | 40mA |
| 频率 | 108MHz |
| 额定电流 | 88A |
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