Datasheet下载- 型号： BLF6G10LS-200R,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10LS-200R,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10LS-200R,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10LS-200R,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G10LS-200R,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10LS-200R,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G10LS-200R,112是由Ampleon USA Inc.生产的一款射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频应用。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 广播发射机：该器件适用于FM和数字广播发射系统，提供高效率和高可靠性，适合用于大功率广播设备中。 2. 工业加热：在工业射频加热和等离子体生成设备中，BLF6G10LS-200R可用于射频能量的输出控制，具备良好的热稳定性和耐久性。 3. 医疗设备：如射频消融设备等医疗仪器中，该MOSFET可提供稳定射频输出，满足高精度和高安全性要求。 4. 无线基础设施：适用于通信基站、功率放大器模块等，特别是在需要高功率和高频率性能的4G/5G通信系统中。 5. 测试与测量设备：用于射频测试仪器中，作为功率放大单元，提供稳定的射频信号输出。 该器件具有高功率密度、良好的热管理和优异的耐用性，适用于多种高频、高功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10LS-200R,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934061248112 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 871.5MHz ~ 891.5MHz |
| 额定电流 | 49A |
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