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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CLF1G0060S-30U由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CLF1G0060S-30U价格参考。NXP SemiconductorsCLF1G0060S-30U封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CLF1G0060S-30U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CLF1G0060S-30U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Ampleon USA Inc.、型号为CLF1G0060S-30U的器件属于射频场效应晶体管(RF FET),具体为MOSFET类型。该器件主要应用于射频功率放大领域,适用于需要高效率和高线性度的射频系统。 其典型应用场景包括: 1. 无线通信基站:用于4G/5G通信系统中的射频功率放大器,满足高数据速率和多频段操作需求。 2. 广播发射系统:如FM广播或电视广播中的高功率射频放大,提供稳定输出和高可靠性。 3. 工业与医疗射频设备:用于射频能量应用,如工业加热、等离子体生成或医疗治疗设备中的射频电源放大。 4. 测试与测量设备:作为射频信号放大模块,用于实验室或生产环境中的信号测试系统。 5. 军事与航空航天通信系统:在高可靠性要求的环境中,用于战术通信或雷达系统中的射频前端放大。 该器件具备高增益、高效率和良好的热稳定性,适合在高频(如UHF、L波段及以上)环境下工作,支持多种调制方式,适用于现代通信和功率射频应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | IC RF PWR AMP 30W SOT1227B |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CLF1G0060S-30U |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | 934067182112 |
功率-输出 | 30W |
包装 | * |
噪声系数 | - |
增益 | 13dB |
封装/外壳 | * |
晶体管类型 | HEMT |
标准包装 | 20 |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 150V |
电流-测试 | 70mA |
频率 | 3.5GHz |
额定电流 | - |