【未分类_MRF6V12250HR3】封装/厂家_MRF6V12250HR3中文资料_价格

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型号： MRF6V12250HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6V12250HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6V12250HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6V12250HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF6V12250HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6V12250HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6V12250HR3是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）/MOSFET类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景，以下是其典型的应用领域和特点：

 应用场景：
1. 无线通信基础设施  
   - 用于基站放大器，支持高效的能量转换和信号传输。
   - 适用于4G LTE、5G以及未来的移动通信技术。

2. 广播系统  
   - 在FM/AM广播发射机中作为功率放大器的核心组件。
   - 提供高增益和稳定的输出功率。

3. 工业、科学与医疗（ISM）设备  
   - 用于ISM频段内的高功率射频应用，例如微波加热、等离子体生成等。

4. 航空航天与国防  
   - 用于雷达系统中的射频功率放大器，提供高可靠性和稳定性。
   - 支持导航、通信和电子战系统。

5. 测试与测量设备  
   - 在信号发生器、频谱分析仪等设备中，作为射频信号放大的关键元件。

 技术特点：
- 高功率输出：能够处理高功率射频信号，适合需要大功率输出的应用。
- 宽频率范围：支持较宽的工作频率范围，适应多种射频应用场景。
- 高效率：优化设计以提高能量转换效率，降低功耗和热量产生。
- 高可靠性：采用耐用材料和封装技术，确保在严苛环境下的稳定运行。
- 低失真：提供线性放大能力，减少信号失真，保证高质量的通信性能。

总之，MRF6V12250HR3凭借其高性能和可靠性，广泛应用于需要高功率射频信号处理的各种领域，特别是在通信、广播和国防等行业中发挥重要作用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6V12250HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	275W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20.3dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	50V
电压-额定	100V
电流-测试	100mA
频率	1.03GHz
额定电流	10µA