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- 型号： PTFA080551E V1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PTFA080551E V1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PTFA080551E V1价格参考。InfineonPTFA080551E V1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PTFA080551E V1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PTFA080551E V1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的PTFA080551E V1是一款射频MOSFET晶体管，主要用于高频、高功率的射频应用。该器件适用于工作频率在400MHz至900MHz范围内的系统，具有高效率和高可靠性的特点。 其主要应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于移动通信网络中的射频功率放大器模块，支持GSM、CDMA、WCDMA等多种通信标准，提升信号传输质量和覆盖范围。 2. 广播发射设备：应用于FM广播或电视发射系统中，作为高效能射频功率放大元件，确保稳定的大功率输出。 3. 工业与商业射频设备：如射频加热、等离子发生器或其他需要射频能量的工业系统，PTFA080551E V1可提供稳定的高频功率输出。 4. 军事与航空航天通信系统：由于其高可靠性与耐环境性能，也可用于特定的军用通信或雷达系统中。 该器件采用先进的功率MOSFET工艺，具备良好的热稳定性和高增益特性，适合用于要求高线性度和高效率的推挽式或D类放大器结构。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ptfa080551ef_v4_ds_r03.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4095d3b01ef&fileId=db3a304412b407950112b40bada6089e |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PTFA080551E V1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | H-36265-2 |
| 其它名称 | SP000224767 |
| 功率-输出 | 55W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | 2-扁平封装，叶片引线 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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