图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5247_J35Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5247_J35Z价格参考。Fairchild Semiconductor2N5247_J35Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5247_J35Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5247_J35Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5247_J35Z是安森美(ON Semiconductor)生产的一款射频MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应管,广泛应用于射频(RF)放大电路中。该器件具有良好的高频性能和稳定性,适用于VHF(甚高频)和UHF(特高频)频段的信号放大。 其主要应用场景包括: 1. 射频功率放大器:常用于无线通信设备中的小信号或中等功率放大,如对讲机、无线麦克风、射频收发模块等; 2. 工业与消费类射频系统:如遥控装置、无线感应设备、RFID读写器等; 3. 广播与电视设备:在低功率发射电路中作为调谐放大器或驱动级使用; 4. 业余无线电设备:因其可靠性和良好线性度,适合用于短波或超短波通信中的射频放大环节。 2N5247_J35Z采用TO-39金属封装,具备较好的散热性能和抗干扰能力,适合在环境要求较高的场合使用。同时,其输入输出电容较小,增益较高,有利于简化匹配网络设计,提升系统整体效率。 总体而言,该型号适用于工作频率在数百MHz以下的模拟射频放大应用,尤其适合需要稳定增益和低失真的场景,是传统射频设计中较为经典的小功率MOSFET器件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC RF AMP N-CH TO-92 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2N5247_J35Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | 4dB |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 晶体管类型 | N 通道 JFET |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 30V |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | 400MHz |
| 额定电流 | - |