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Datasheet下载- 型号： BLF6G38-100,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLF6G38-100,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G38-100,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G38-100,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G38-100,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet LDMOS 28V 1.05A 3.4GHz ~ 3.6GHz 13dB 18.5W LDMOST。您可以下载BLF6G38-100,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G38-100,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G38-100,112 是一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件工作频率范围宽，典型应用于ISM（工业、科学和医疗）频段，如40.68 MHz、13.56 MHz等，广泛适用于射频能量系统，包括感应加热、介质加热、等离子体生成和射频激励源等工业加热与加工设备。 此外，BLF6G38-100,112 也常用于广播发射机中的射频功率放大级，特别是在AM和短波广播领域，具备高效率、高增益和良好的热稳定性。其耐高压、高输出功率（可达100W以上）的特性，使其在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行。 该器件采用先进的硅MOSFET工艺，具有出色的抗驻波比（VSWR）能力和坚固性，适合在高负载失配条件下稳定工作。封装形式为陶瓷金属封装，散热性能优良，便于集成于风冷或水冷散热系统中。 综上，BLF6G38-100,112 主要应用于工业射频加热设备、广播发射机、科研用射频电源以及各类需要高可靠性连续波（CW）或调制信号放大的射频系统中，是高功率模拟射频放大链路中的关键元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G38-100,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8656 |
| 功率-输出 | 18.5W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.05A |
| 频率 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 额定电流 | 34A |
