Datasheet下载- 型号： BLF6G27LS-40P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27LS-40P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27LS-40P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27LS-40P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G27LS-40P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27LS-40P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G27LS-40P,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高频率、高功率的射频放大场合。该器件工作频率可达 2.7 GHz，具备 40W 的输出功率能力，适用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子发生器和感应焊接系统。此外，它也广泛用于广播通信领域，包括 FM 广播发射机和电视发射系统，提供高效稳定的信号放大。其高效率和良好的热稳定性使其在连续波（CW）和脉冲操作模式下均表现优异。由于采用先进的 LDMOS 技术，该器件在高电压环境下具有出色的耐用性和可靠性，适合长时间运行的工业应用。BLF6G27LS-40P 还可用于陆地移动通信基站和公共安全通信系统，支持关键任务通信需求。其封装设计有利于散热管理，便于集成到风冷或导热系统中，提升整体系统稳定性。总之，这款 MOSFET 特别适用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频放大场景，是现代无线通信与工业射频能量应用中的关键元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G27LS-40P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934065321112 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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