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- 型号： MRF8S21140HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21140HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21140HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21140HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21140HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21140HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF8S21140HR5 是一款射频功率MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，专为高功率射频放大应用设计。该器件广泛应用于无线通信基础设施领域，特别是在4G LTE和5G蜂窝网络基站中作为输出级功率放大器。 其主要应用场景包括宏蜂窝基站、远程无线单元（RRU）以及大规模MIMO系统中的射频功率放大模块。MRF8S21140HR5工作在2.11–2.2 GHz频率范围，具备高增益、高效率和出色的热稳定性，适合在高线性度要求的环境中运行，支持复杂的调制技术如OFDMA，从而保障高速数据传输质量。 此外，该器件也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量应用，如等离子发生、射频加热等需要稳定高功率输出的场合。其增强型硅基LDMOS工艺降低了栅极驱动需求，提高了系统可靠性，并简化了偏置电路设计。 MRF8S21140HR5采用先进的R5封装，具有优异的散热性能，可在高功率密度下长期稳定工作，适合部署在环境条件严苛的户外基站中。总体而言，该器件是现代宽带无线通信系统中实现高效、可靠射频放大的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2GHZ 28V NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21140HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 970mA |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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