Datasheet下载- 型号： BLF10M6200U
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF10M6200U由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF10M6200U价格参考。NXP SemiconductorsBLF10M6200U封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF10M6200U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF10M6200U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF10M6200U是Ampleon USA Inc.生产的一款高性能射频功率MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。其典型应用场景包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、等离子体生成和射频消融设备。该器件工作频率高达100 MHz，具备6200W的极高输出功率能力，适合需要大功率连续波（CW）或脉冲信号放大的场合。 此外，BLF10M6200U广泛应用于广播发射机中的音频与射频放大模块，尤其适用于AM和FM广播发射系统，提供高效率与良好的热稳定性。在雷达系统和航空通信等军用及民用领域，该器件也因其高可靠性和耐用性而受到青睐。 BLF10M6200U采用先进的LDMOS技术，具有优异的增益、效率和宽带性能，支持50Ω匹配输出，简化了电路设计。其陶瓷封装具备良好的散热性能和机械强度，可在高温和高负载环境下稳定运行，适合严苛工业环境使用。 总之，BLF10M6200U主要应用于高功率射频放大场景，涵盖广播、ISM加热、雷达及通信基础设施等领域，是一款面向高端工业和通信市场的关键射频功率器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS LDMOS 200W SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF10M6200U |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502A |
| 其它名称 | 934067778112 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 1400mA |
| 频率 | 700MHz ~ 1GHz |
| 额定电流 | 4.2µA |
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