Datasheet下载- 型号： PD85035STR1-E
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD85035STR1-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD85035STR1-E价格参考。STMicroelectronicsPD85035STR1-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD85035STR1-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD85035STR1-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD85035STR1-E是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射设备以及工业和医疗射频设备。其高功率密度和优良的热稳定性使其适合在要求高可靠性和高效率的射频系统中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | PD85035STR1-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 功率-输出 | 15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | - |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-测试 | 13.6V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | 8A |
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