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NE3510M04-A产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE3510M04-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3510M04-A价格参考。CELNE3510M04-A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet HFET 2V 15mA 4GHz 16dB 11dBm M04。您可以下载NE3510M04-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE3510M04-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NE3510M04-A 是由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的一款射频 MOSFET 晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 射频分类。该型号主要应用于高频射频功率放大器领域,具有高增益、低噪声和良好的线性性能,适合在无线通信、广播系统和其他射频相关设备中使用。 以下是 NE3510M04-A 的典型应用场景: 1. 无线通信系统: 适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。其高效的功率输出能力可以提升信号覆盖范围和传输质量。 2. 业余无线电设备: 在业余无线电爱好者使用的发射机中,NE3510M04-A 可作为功率放大器的核心元件,用于增强信号强度,满足远距离通信需求。 3. 射频测试设备: 用于信号发生器、频谱分析仪等射频测试设备的内部功率放大电路,确保测试信号的稳定性和准确性。 4. 广播系统: 在 FM 或其他类型的广播系统中,该器件可用于射频功率放大,以提高信号的传播距离和覆盖范围。 5. 卫星通信: 在卫星地面站或移动卫星通信设备中,NE3510M04-A 能够提供可靠的射频功率放大功能,支持高质量的数据传输。 6. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域: 在 ISM 频段的应用中,例如微波加热、无线能量传输等,该器件可用于设计高效能的射频功率模块。 7. 雷达系统: 在小型雷达设备中,NE3510M04-A 可用于射频前端的功率放大,帮助实现目标探测和跟踪功能。 总结来说,NE3510M04-A 凭借其优异的射频性能,在需要高效功率放大和高频率操作的场景中表现出色,广泛应用于通信、测试、广播和雷达等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | HJ-FET N-CH 4GHZ M04射频JFET晶体管 L-S Band Lo No Amp |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 97 mA |
Id-连续漏极电流 | 97 mA |
品牌 | CEL |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,CEL NE3510M04-A- |
数据手册 | |
P1dB | 11 dBm |
产品型号 | NE3510M04-A |
Pd-PowerDissipation | 125 mW |
Pd-功率耗散 | 125 mW |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 4 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 3 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 3 V |
产品 | RF JFET |
产品目录页面 | |
产品种类 | 射频JFET晶体管 |
供应商器件封装 | M04 |
其它名称 | NE3510M04A |
功率-输出 | 11dBm |
功率耗散 | 125 mW |
包装 | 散装 |
商标 | CEL |
噪声系数 | 0.45 dB |
增益 | 16 dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | SOT-343F |
封装/箱体 | FTSMM-4 (M04) |
工厂包装数量 | 50 |
技术 | GaAs |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | HFET |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 120 |
正向跨导-最小值 | 70 mS |
漏极连续电流 | 97 mA |
漏源电压VDS | 4 V |
电压-测试 | 2V |
电压-额定 | 4V |
电流-测试 | 15mA |
类型 | GaAs HEMT |
闸/源击穿电压 | - 3 V |
闸/源截止电压 | - 0.7 V |
频率 | 4 GHz |
额定电流 | 97mA |