图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: NE3510M04-A
  • 制造商: CEL
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

NE3510M04-A产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NE3510M04-A由CEL设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE3510M04-A价格参考。CELNE3510M04-A封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet HFET 2V 15mA 4GHz 16dB 11dBm M04。您可以下载NE3510M04-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE3510M04-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NE3510M04-A 是由 CEL(California Eastern Laboratories)生产的一款射频 MOSFET 晶体管,属于晶体管 - FET、MOSFET - 射频分类。该型号主要应用于高频射频功率放大器领域,具有高增益、低噪声和良好的线性性能,适合在无线通信、广播系统和其他射频相关设备中使用。

以下是 NE3510M04-A 的典型应用场景:

1. 无线通信系统:  
   适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。其高效的功率输出能力可以提升信号覆盖范围和传输质量。

2. 业余无线电设备:  
   在业余无线电爱好者使用的发射机中,NE3510M04-A 可作为功率放大器的核心元件,用于增强信号强度,满足远距离通信需求。

3. 射频测试设备:  
   用于信号发生器、频谱分析仪等射频测试设备的内部功率放大电路,确保测试信号的稳定性和准确性。

4. 广播系统:  
   在 FM 或其他类型的广播系统中,该器件可用于射频功率放大,以提高信号的传播距离和覆盖范围。

5. 卫星通信:  
   在卫星地面站或移动卫星通信设备中,NE3510M04-A 能够提供可靠的射频功率放大功能,支持高质量的数据传输。

6. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域:  
   在 ISM 频段的应用中,例如微波加热、无线能量传输等,该器件可用于设计高效能的射频功率模块。

7. 雷达系统:  
   在小型雷达设备中,NE3510M04-A 可用于射频前端的功率放大,帮助实现目标探测和跟踪功能。

总结来说,NE3510M04-A 凭借其优异的射频性能,在需要高效功率放大和高频率操作的场景中表现出色,广泛应用于通信、测试、广播和雷达等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

HJ-FET N-CH 4GHZ M04射频JFET晶体管 L-S Band Lo No Amp

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-ContinuousDrainCurrent

97 mA

Id-连续漏极电流

97 mA

品牌

CEL

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,CEL NE3510M04-A-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

P1dB

11 dBm

产品型号

NE3510M04-A

Pd-PowerDissipation

125 mW

Pd-功率耗散

125 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

4 V

Vds-漏源极击穿电压

4 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 3 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 3 V

产品

RF JFET

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

M04

其它名称

NE3510M04A

功率-输出

11dBm

功率耗散

125 mW

包装

散装

商标

CEL

噪声系数

0.45 dB

增益

16 dB

安装风格

SMD/SMT

封装/外壳

SOT-343F

封装/箱体

FTSMM-4 (M04)

工厂包装数量

50

技术

GaAs

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

HFET

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

120

正向跨导-最小值

70 mS

漏极连续电流

97 mA

漏源电压VDS

4 V

电压-测试

2V

电压-额定

4V

电流-测试

15mA

类型

GaAs HEMT

闸/源击穿电压

- 3 V

闸/源截止电压

- 0.7 V

频率

4 GHz

额定电流

97mA

NE3510M04-A 相关产品

MRF6VP41KHR7

品牌:NXP USA Inc.

价格:

PD57018TR-E

品牌:STMicroelectronics

价格:

BLF7G27LS-100,112

品牌:Ampleon USA Inc.

价格:

BF862,235

品牌:NXP USA Inc.

价格:

ATF-35143-TR2G

品牌:Broadcom Limited

价格:

PD57006S-E

品牌:STMicroelectronics

价格:

2N5247_J35Z

品牌:ON Semiconductor

价格:

UF2820P

品牌:M/A-Com Technology Solutions

价格: