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  • 型号: SD2931-12MR
  • 制造商: STMicroelectronics
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SD2931-12MR由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SD2931-12MR价格参考。STMicroelectronicsSD2931-12MR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SD2931-12MR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SD2931-12MR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的SD2931-12MR是一款N沟道增强型射频MOSFET,属于高性能功率晶体管,专为射频功率放大应用设计。其主要应用场景包括:

1. 无线通信基础设施:广泛用于基站中的射频功率放大器模块,支持GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信标准,在宏基站和微基站中实现高效信号放大。

2. 工业与广播设备:适用于UHF频段的射频能量传输系统,如工业加热、等离子发生器以及FM/TV广播发射机,提供稳定可靠的高功率输出。

3. 雷达与航空电子系统:因其良好的线性度和热稳定性,可用于民用或轻型军用雷达系统中的射频放大单元,满足严苛环境下的运行需求。

4. 测试与测量仪器:在射频信号发生器、功率放大器测试平台等设备中作为核心放大元件,支持宽频率范围内的信号处理。

该器件采用先进的制程技术,具备低互调失真、高增益和优良的热性能,配合12V低电压工作特性,适合需要高效能与小型化设计的射频系统。其封装形式(如SOT-1220)有助于良好散热,提升长期运行可靠性。总体而言,SD2931-12MR适用于中等功率、高频工作的工业级射频应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC TRANS RF/VHF DMOS M174MR

产品分类

RF FET

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

SD2931-12MR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

M174MR

其它名称

497-14055

功率-输出

150W

包装

托盘

噪声系数

-

增益

15dB

封装/外壳

M174MR

晶体管类型

N 通道

标准包装

25

电压-测试

50V

电压-额定

125V

电流-测试

250mA

频率

175MHz

额定电流

20A

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