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产品简介:
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STMicroelectronics的SD2931-12MR是一款N沟道增强型射频MOSFET,属于高性能功率晶体管,专为射频功率放大应用设计。其主要应用场景包括: 1. 无线通信基础设施:广泛用于基站中的射频功率放大器模块,支持GSM、CDMA、WCDMA、LTE等移动通信标准,在宏基站和微基站中实现高效信号放大。 2. 工业与广播设备:适用于UHF频段的射频能量传输系统,如工业加热、等离子发生器以及FM/TV广播发射机,提供稳定可靠的高功率输出。 3. 雷达与航空电子系统:因其良好的线性度和热稳定性,可用于民用或轻型军用雷达系统中的射频放大单元,满足严苛环境下的运行需求。 4. 测试与测量仪器:在射频信号发生器、功率放大器测试平台等设备中作为核心放大元件,支持宽频率范围内的信号处理。 该器件采用先进的制程技术,具备低互调失真、高增益和优良的热性能,配合12V低电压工作特性,适合需要高效能与小型化设计的射频系统。其封装形式(如SOT-1220)有助于良好散热,提升长期运行可靠性。总体而言,SD2931-12MR适用于中等功率、高频工作的工业级射频应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS RF/VHF DMOS M174MR |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SD2931-12MR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | M174MR |
| 其它名称 | 497-14055 |
| 功率-输出 | 150W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | M174MR |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 25 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 频率 | 175MHz |
| 额定电流 | 20A |