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型号： ATF-551M4-TR1
制造商： Avago Technologies
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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ATF-551M4-TR1产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-551M4-TR1由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-551M4-TR1价格参考。Avago TechnologiesATF-551M4-TR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet pHEMT FET 2.7V 10mA 2GHz 17.5dB 14.6dBm MiniPak 1412。您可以下载ATF-551M4-TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-551M4-TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ATF-551M4-TR1是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型伪形貌场效应晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET类别。该器件专为低噪声、高增益和高线性度的射频应用设计，广泛应用于无线通信系统中。

其典型应用场景包括：蜂窝基站的低噪声放大器（LNA）、微波点对点通信系统、无线局域网（WLAN，如5GHz Wi-Fi）、卫星通信前端接收模块以及测试测量设备中的高频信号放大。由于其工作频率覆盖DC至4 GHz，特别适合在UHF、L、S和部分C波段使用。

ATF-551M4-TR1具有极低的噪声系数（典型值0.45 dB @ 2 GHz）、高增益（约16 dB @ 2 GHz）和良好的线性性能，可在低电压（如2V）下稳定工作，有助于降低系统功耗。此外，其采用小型表面贴装封装（SOT-343），便于高密度电路板布局，适用于空间受限的高频模块设计。

总体而言，该器件适用于对灵敏度和信号完整性要求较高的射频接收链路，是现代高性能通信系统中关键的前端放大元件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC TRANS E-PHEMT GAAS MINIPAK射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	100 mA
Id-连续漏极电流	100 mA
品牌	Avago Technologies US Inc.
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-551M4-TR1-
数据手册	http://www.avagotech.com/docs/AV02-0924EN
P1dB	14.6 dBm
产品型号	ATF-551M4-TR1
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A
Pd-PowerDissipation	270 mW
Pd-功率耗散	270 mW
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	5 V
Vds-漏源极击穿电压	5 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	- 5 V to 1 V
Vgs-栅源极击穿电压	- 5 V to 1 V
产品	RF JFET
产品种类	射频JFET晶体管
供应商器件封装	MiniPak 1412
其它名称	516-1509-1
功率-输出	14.6dBm
功率耗散	270 mW
包装	剪切带（CT）
商标	Avago Technologies
噪声系数	0.5dB
增益	17.5dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	0505（1412 公制）
封装/箱体	Mini PAK
工厂包装数量	3000
技术	GaAs
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	pHEMT FET
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	220 mmho
漏极连续电流	100 mA
漏源电压VDS	5 V
电压-测试	2.7V
电压-额定	5V
电流-测试	10mA
类型	GaAs EpHEMT
配置	Single Dual Source
闸/源击穿电压	- 5 V to 1 V
频率	2GHz
额定电流	100mA