Datasheet下载- 型号： BLF3G21-30,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF3G21-30,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF3G21-30,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF3G21-30,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF3G21-30,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF3G21-30,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF3G21-30,112 是一款射频功率晶体管，属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET 类别。它专为高频、高效率的射频应用设计，主要应用于无线通信、广播、雷达和其他需要高功率射频信号放大的领域。 以下是该型号的主要应用场景： 1. 无线通信基站 BLF3G21-30,112 可用于蜂窝网络基站中的射频功率放大器（RFPA）。其高效率和高增益特性使其非常适合 GSM、CDMA、WCDMA 和 LTE 等通信标准的信号放大需求。 2. 广播系统 在 AM/FM 广播发射机中，这款晶体管可以作为核心功率放大元件，提供稳定的射频输出以驱动天线系统。 3. 航空与国防 该器件适用于雷达系统和军事通信设备。例如，在脉冲雷达或连续波雷达中，它可以实现高功率射频信号的生成和传输。 4. 工业、科学和医疗 (ISM) 应用 在 ISM 频段内，BLF3G21-30,112 可用于各种设备，如无线电频率加热装置、等离子体发生器和医疗成像设备。 5. 业余无线电 射频爱好者可以使用该晶体管构建高性能的业余无线电发射机，支持更高的输出功率和更远的通信距离。 6. 测试与测量设备 在实验室环境中，这款晶体管可用于射频信号源或功率放大器模块，帮助工程师进行复杂的射频性能评估。 总结来说，BLF3G21-30,112 凭借其出色的射频性能和可靠性，广泛应用于需要高功率、高效率射频信号处理的各种场景中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF3G21-30,112 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-2413 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.5dB |
| 封装/外壳 | SOT467C |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 4.5A |
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