Datasheet下载- 型号： BLF6G20-180RN,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G20-180RN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G20-180RN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G20-180RN,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G20-180RN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G20-180RN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF6G20-180RN,112 是一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件适用于广播、工业加热、医疗设备以及无线通信基础设施等领域，尤其是在需要高效率和高稳定性的射频功率放大器设计中。其典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）和数字音频广播（DAB）发射系统中的射频功率放大模块，提供高线性度和可靠性。 2. 工业与科学设备：如射频等离子体发生器、材料处理设备和射频加热系统，利用其高功率输出和耐用性。 3. 通信基础设施：在4G/5G基站、微波回传系统和宽带通信设备中作为高效功率放大器，支持高数据速率传输。 4. 测试与测量设备：用于射频测试仪器中，提供稳定的射频信号输出，确保测试精度。 5. 医疗射频设备：如射频消融设备，要求高可靠性和精确功率控制的场合。 该器件具有高增益、低失真和良好的热稳定性，适合在恶劣环境下长时间运行，是高性能射频系统的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G20-180RN,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934062731112 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| 额定电流 | 49A |
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