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- 型号： BLF8G10LS-270,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G10LS-270,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G10LS-270,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G10LS-270,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G10LS-270,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G10LS-270,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLF8G10LS-270,112 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，专为高频率、高功率应用设计。该器件广泛应用于广播、工业和通信领域，尤其适用于甚高频（VHF）至特高频（UHF）频段的射频放大系统。 典型应用场景包括： 1. 数字电视广播（DTV）发射机：BLF8G10LS-270 在 UHF 频段表现出优异的线性度与效率，适用于 ATSC 或 DVB-T/T2 等数字电视标准的发射系统，支持高功率输出与稳定信号传输。 2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：可用于 400–500 MHz 频段的射频能量应用，如等离子发生器、射频加热与干燥系统，具备高耐用性和热稳定性。 3. 陆地移动无线电（LMR）与公共安全通信：适用于高可靠性要求的应急通信基站，提供清晰稳定的语音与数据传输。 4. 航空与雷达系统：在需要高脉冲功率和可靠性的航空通信或初级雷达中，作为射频功率放大级的核心元件。 该器件采用先进的 LDMOS 技术，具有高增益、低失真和出色的热性能，工作电压为 28 V，适合连续波（CW）与调制信号操作。其紧凑的封装便于集成于高效散热模块中，确保长期运行的可靠性。BLF8G10LS-270,112 特别适合对能效和信号质量要求严苛的高功率射频系统，是现代广播与专业通信基础设施中的关键组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF POWER 270W LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF8G10LS-270,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934067016112 |
| 功率-输出 | 270W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 28V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 820MHz ~ 960MHz |
| 额定电流 | - |
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