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Datasheet下载- 型号： BLF6G10S-45,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLF6G10S-45,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G10S-45,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G10S-45,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G10S-45,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 350mA 922.5MHz ~ 957.5MHz 23dB 1W CDFM2。您可以下载BLF6G10S-45,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G10S-45,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的BLF6G10S-45,112是一款高性能射频MOSFET晶体管，广泛应用于高功率射频放大系统。该器件基于先进的LDMOS技术，具有优异的线性度、效率和热稳定性，适用于工作频率在DC至500 MHz范围内的场景。 主要应用场景包括：广播发射机（如FM/AM无线电广播）、工业、科学和医疗（ISM）设备中的射频能量应用、高功率模拟与数字电视（DTV）发射系统，以及陆地移动通信基站等。其高增益和输出功率能力（典型输出功率达450W以上）使其成为大功率射频放大器的理想选择。 BLF6G10S-45,112采用坚固的陶瓷封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合长时间连续波（CW）或高占空比脉冲操作，常用于对系统稳定性和耐用性要求较高的户外或工业环境。此外，该器件支持7:1负载失配耐受能力，增强了在复杂阻抗环境下的运行鲁棒性。 综上，BLF6G10S-45,112适用于需要高效率、高可靠性和大功率输出的中高频射频系统，是广播、通信和工业加热等领域关键射频功率放大的优选器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC BASESTATION DRIVER SOT608B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G10S-45,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM2 |
| 其它名称 | 568-8639 |
| 功率-输出 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 23dB |
| 封装/外壳 | SOT-608B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 922.5MHz ~ 957.5MHz |
| 额定电流 | 13A |
