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  • 型号: BLF7G22LS-130,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G22LS-130,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G22LS-130,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G22LS-130,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF7G22LS-130,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G22LS-130,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF7G22LS-130,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号专为高频射频应用设计,具有高功率处理能力、高增益和良好的线性度,适合以下应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - BLF7G22LS-130,118 常用于射频功率放大器中,特别是在无线通信系统中,如广播电台、蜂窝基站和卫星通信。
   - 它能够在高频段(如 VHF 和 UHF 频率范围)提供稳定的功率输出,适用于需要高效能和高可靠性的射频信号放大场景。

 2. 无线电发射设备
   - 在业余无线电、专业移动无线电(PMR)和对讲机等设备中,该晶体管可以作为核心功率放大器件,确保信号的远距离传输和高质量发射。

 3. 广播电视
   - 该型号可用于电视和调频广播的发射机中,支持高功率输出,满足大范围覆盖的需求。
   - 其优异的线性性能有助于减少信号失真,提高广播质量。

 4. 雷达系统
   - 在雷达应用中,BLF7G22LS-130,118 可用于脉冲功率放大,支持高频率和高功率输出,以增强探测距离和精度。

 5. 工业、科学和医疗(ISM)领域
   - 该晶体管也可应用于 ISM 领域,例如微波加热设备、无线能量传输和其他需要射频功率的应用。

 6. 测试与测量设备
   - 在实验室或生产环境中,BLF7G22LS-130,118 可用于射频信号发生器或功率计等测试设备中,提供稳定且精确的射频信号源。

 总结
BLF7G22LS-130,118 的主要优势在于其高频性能、高功率输出能力和低失真特性,使其成为射频通信、广播、雷达和测试设备等领域的理想选择。这些特点使其在需要高性能射频解决方案的场景中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

BLF7G22LS-130,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT502B

其它名称

934063501118

功率-输出

30W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

18.5dB

封装/外壳

SOT-502B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

950mA

频率

2GHz ~ 2.2GHz

额定电流

-

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