Datasheet下载- 型号： PD57060STR-E
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PD57060STR-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PD57060STR-E价格参考。STMicroelectronicsPD57060STR-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PD57060STR-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PD57060STR-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的PD57060STR-E是一款射频（RF）MOSFET晶体管，主要用于高频信号放大和开关应用。以下是其典型应用场景： 1. 无线通信设备：适用于基站、中继器和其他无线通信基础设施中的射频功率放大器设计。该器件能够高效处理高频信号，满足现代通信系统对带宽和效率的需求。 2. 工业与科学应用：可用于工业加热、等离子体生成或医疗设备中的射频电源模块。这些领域需要高稳定性和可靠性的射频能量输出，而PD57060STR-E正好符合这一要求。 3. 测试与测量仪器：在频谱分析仪、信号发生器等设备中作为核心射频组件，提供精确的信号放大全功能支持。 4. 航空航天及国防：用于雷达系统、卫星通信终端以及电子对抗设备中的射频链路部分。其高性能特性有助于提升系统的探测距离和数据传输速率。 5. 消费类电子产品：虽然主要面向专业市场，但在某些高端家用无线路由器或物联网网关产品中也可能用到此类射频MOSFET，以增强信号覆盖范围和连接质量。 总之，PD57060STR-E凭借其优秀的射频性能参数，在众多需要高效处理高频电磁波的应用场合发挥着重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC TRANS RF PWR LDMOST PWRSO-10 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PD57060STR-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PowerSO-10RF（直引线） |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.3dB |
| 封装/外壳 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 600 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 7A |
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