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- 型号： MRF7S21170HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21170HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21170HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21170HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21170HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21170HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRF7S21170HR3 是一款高性能射频MOSFET器件，属于晶体管中的射频功率场效应管（RF MOSFET），广泛应用于无线通信系统的射频功率放大环节。该器件基于LDMOS技术，具有高增益、高效率和良好的热稳定性，适用于高频段工作环境。 其主要应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：MRF7S21170HR3 常用于2G、3G、4G LTE以及多载波无线通信基站的功率放大器模块中，支持在2.11–2.2 GHz频段高效运行，适合宏基站和微基站部署。 2. 宏蜂窝与分布式天线系统（DAS）：由于具备高输出功率和优异的线性度，该器件适用于需要覆盖广域信号的通信基础设施，如城市通信网络和大型建筑内的信号增强系统。 3. 工业与公共安全通信设备：可用于专业移动无线电（PMR）、公共安全网络（如警察、消防通信系统）等对可靠性和稳定性要求较高的领域。 4. 宽带无线接入系统：在固定无线接入（FWA）或无线回传链路中作为射频功放核心元件，保障高速数据传输的稳定性。 5. 多模式多频段放大器设计：支持多种调制格式（如OFDM、QAM），适合现代通信系统中复杂的信号处理需求。 综上所述，MRF7S21170HR3 主要面向高性能、高可靠性要求的无线通信基础设施，尤其在移动通信基站射频功率放大方面发挥关键作用，助力构建稳定高效的通信网络。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF7S21170HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 其它名称 | MRF7S21170HR3DKR |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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