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  • 型号: IMB9AT110
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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IMB9AT110产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IMB9AT110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMB9AT110价格参考。ROHM SemiconductorIMB9AT110封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装 SMT6。您可以下载IMB9AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMB9AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

IMB9AT110

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

68 @ 5mA,5V

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供应商器件封装

SMT6

其它名称

IMB9AT110-ND
IMB9AT110TR

功率-最大值

300mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-74,SOT-457

晶体管类型

2 个 PNP 预偏压式(双)

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

250MHz

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EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A (cid:122)Features (cid:122)External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 EMB9 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating 0.22 ((54)) ((23))0.50.51.01.6 interference. (6) 1.2 (1) 1.6 4) Mounting cost and area can be cut in half. 0.13 0.5 Each lead has same dimensions ROHM : EMT6 (cid:122)Structure Abbreviated symbol : B9 Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in resistor type) UMB9N ()4 ()3 0.65 0.2 ()5 ()2 1.3 2.0 ()6 1.25 ()1 0.65 The following characteristics apply to both DTr1 and 2.1 DTr2. 0.15 0.7 0.9 0.1Min. 0to0.1 Each lead has same dimensions ROHM : UMT6 (cid:122)Equivalent circuit EIAJ : SC-88 Abbreviated symbol : B9 EMB9 / UMB9N IMB9A (3) (2) (1) (4) (5) (6) IMB9A R1 R2 R1 R2 R1=10kΩ DTr2 DTr1 DTr2 DTrR11=10kΩ 0.3 ()()65 ()()12 0.950.951.92.9 R2=47kΩ (4R)2 (R51) (6) (3R)2 (R21) (1)R2=47kΩ ()4 1.6 ()3 2.8 0.15 0.8 1.1 0.3to0.6 0to0.1 Each lead has same dimensions (cid:122)Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) ROHM : SMT6 EIAJ : SC-74 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC −50 V Abbreviated symbol : B9 −40 Input voltage VIN V 6 IO −70 Output current IC (Max.) −100 mA Power EMB9, UMB9N 150 (TOTAL) ∗1 Pd mW dissipation IMB9A 300 (TOTAL) ∗2 Junction temperature Tj 150 ˚C Storage temperature Tstg −55 to +150 ˚C ∗ ∗1 120mW per element must not be exceeded. 2 200mW per element must not be exceeded. 1/2

EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors (cid:122)Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VI (off) − − −0.3 VCC=−5V, IO=−100µA Input voltage V VI (on) −1.4 − − VO=−0.3V, IO=−1mA Output voltage VO (on) − −0.1 −0.3 V IO/II=−5mA/−0.25mA Input current II − − −0.88 mA VI=−5V Output current IO (off) − − −0.5 µA VCC=−50V, VI=0V DC current gain GI 68 − − − VO=−5V, IO=−5mA Transition frequency fT − 250 − MHz VCE=−10mA, IE=5mA, f=100MHz ∗ Input resistance R1 7 10 13 kΩ − Resistance ratio R2 / R1 3.7 4.7 5.7 − − ∗ Transition frequency of the device (cid:122)Packaging specifications Package Taping Code T2R TN T148 Basic ordering 8000 3000 3000 Type unit (pieces) EMB9 UMB9N IMB9A (cid:122)Electrical characteristic curves −1−0500 VO=−0.3V −−105mm VCC=−5V 5010k Ta=100˚C VO=−5V (V)INPUT VOLTAGE : VI (on)−50−−021−−−m00215 Ta=1− 204500˚˚˚CCC (A)OUTPUT CURRENT : Io−−−−−−251−−−510002215000000mmµµµµµµµ Ta=1−024050˚˚˚CCC DC CURRENT GAIN : GI 2110052500000 −2450˚˚CC −200m −2µ 2 −100−m100µ−200µ−500µ−1m −2m −5m−10m−20m −50m−100m −1µ0 −0.5 −1 −1.5 −2 −2.5 −3 −1100µ−200µ−500µ−1m −2m −5m−10m−20m −50m−100m OUTPUT CURRENT : IO (A) INPUT VOLTAGE : VI (off) (V) OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.1 Input voltage vs. output current Fig.2 Output current vs. input voltage Fig.3 DC current gain vs. output (ON characteristics) (OFF characteristics) current −1000m lO/lI =20 −500m Ta=100˚C V)−200m 25˚C (VO (on)−100m −40˚C E : −50m G TA −20m OL V −10m UT −5m P T U O −2m −1m −100µ−200µ−500µ−1m −2m −5m−10m−20m −50m−100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.4 Output voltage vs. output current 2/2

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