ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > IMB9AT110
Datasheet下载- 型号： IMB9AT110
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IMB9AT110产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IMB9AT110由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMB9AT110价格参考。ROHM SemiconductorIMB9AT110封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 个 PNP 预偏压式（双） 50V 100mA 250MHz 300mW 表面贴装 SMT6。您可以下载IMB9AT110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IMB9AT110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor（罗姆半导体）的型号为 IMB9AT110 的晶体管，属于双极型晶体管（BJT）阵列，并带有预偏置电阻。这种集成结构使其在电路设计中具有更高的集成度和稳定性。 应用场景主要包括： 1. 数字开关电路 IMB9AT110适用于需要高速开关的数字电路，其内置预偏置电阻可简化外围电路设计，提高开关稳定性。 2. 逻辑电平转换 在不同电压逻辑系统之间进行信号转换时，该器件可作为缓冲或电平转换器使用。 3. LED驱动电路 用于控制LED背光、指示灯等负载的驱动电路中，实现稳定的电流控制。 4. 继电器或蜂鸣器驱动 作为小型继电器、蜂鸣器等感性负载的驱动开关，具备良好的抗干扰能力。 5. 工业自动化设备 在PLC、传感器模块、工业控制板等设备中，用于信号放大或驱动外部执行元件。 6. 汽车电子系统 适用于车载控制模块、灯光控制系统等，具备一定的抗静电和抗干扰能力。 该器件集成双BJT晶体管与偏置电阻，适合用于需要节省PCB空间、提升电路稳定性和简化设计的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IMB9AT110 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMB9AT110-ND |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors General purpose (dual digital transistors) EMB9 / UMB9N / IMB9A (cid:122)Features (cid:122)External dimensions (Unit : mm) 1) Two DTA144Ys in a EMT or UMT or SMT package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 EMB9 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating 0.22 ((54)) ((23))0.50.51.01.6 interference. (6) 1.2 (1) 1.6 4) Mounting cost and area can be cut in half. 0.13 0.5 Each lead has same dimensions ROHM : EMT6 (cid:122)Structure Abbreviated symbol : B9 Epitaxial planar type PNP silicon transistor (Built-in resistor type) UMB9N ()4 ()3 0.65 0.2 ()5 ()2 1.3 2.0 ()6 1.25 ()1 0.65 The following characteristics apply to both DTr1 and 2.1 DTr2. 0.15 0.7 0.9 0.1Min. 0to0.1 Each lead has same dimensions ROHM : UMT6 (cid:122)Equivalent circuit EIAJ : SC-88 Abbreviated symbol : B9 EMB9 / UMB9N IMB9A (3) (2) (1) (4) (5) (6) IMB9A R1 R2 R1 R2 R1=10kΩ DTr2 DTr1 DTr2 DTrR11=10kΩ 0.3 ()()65 ()()12 0.950.951.92.9 R2=47kΩ (4R)2 (R51) (6) (3R)2 (R21) (1)R2=47kΩ ()4 1.6 ()3 2.8 0.15 0.8 1.1 0.3to0.6 0to0.1 Each lead has same dimensions (cid:122)Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) ROHM : SMT6 EIAJ : SC-74 Parameter Symbol Limits Unit Supply voltage VCC −50 V Abbreviated symbol : B9 −40 Input voltage VIN V 6 IO −70 Output current IC (Max.) −100 mA Power EMB9, UMB9N 150 (TOTAL) ∗1 Pd mW dissipation IMB9A 300 (TOTAL) ∗2 Junction temperature Tj 150 ˚C Storage temperature Tstg −55 to +150 ˚C ∗ ∗1 120mW per element must not be exceeded. 2 200mW per element must not be exceeded. 1/2
EMB9 / UMB9N / IMB9A Transistors (cid:122)Electrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions VI (off) − − −0.3 VCC=−5V, IO=−100µA Input voltage V VI (on) −1.4 − − VO=−0.3V, IO=−1mA Output voltage VO (on) − −0.1 −0.3 V IO/II=−5mA/−0.25mA Input current II − − −0.88 mA VI=−5V Output current IO (off) − − −0.5 µA VCC=−50V, VI=0V DC current gain GI 68 − − − VO=−5V, IO=−5mA Transition frequency fT − 250 − MHz VCE=−10mA, IE=5mA, f=100MHz ∗ Input resistance R1 7 10 13 kΩ − Resistance ratio R2 / R1 3.7 4.7 5.7 − − ∗ Transition frequency of the device (cid:122)Packaging specifications Package Taping Code T2R TN T148 Basic ordering 8000 3000 3000 Type unit (pieces) EMB9 UMB9N IMB9A (cid:122)Electrical characteristic curves −1−0500 VO=−0.3V −−105mm VCC=−5V 5010k Ta=100˚C VO=−5V (V)INPUT VOLTAGE : VI (on)−50−−021−−−m00215 Ta=1− 204500˚˚˚CCC (A)OUTPUT CURRENT : Io−−−−−−251−−−510002215000000mmµµµµµµµ Ta=1−024050˚˚˚CCC DC CURRENT GAIN : GI 2110052500000 −2450˚˚CC −200m −2µ 2 −100−m100µ−200µ−500µ−1m −2m −5m−10m−20m −50m−100m −1µ0 −0.5 −1 −1.5 −2 −2.5 −3 −1100µ−200µ−500µ−1m −2m −5m−10m−20m −50m−100m OUTPUT CURRENT : IO (A) INPUT VOLTAGE : VI (off) (V) OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.1 Input voltage vs. output current Fig.2 Output current vs. input voltage Fig.3 DC current gain vs. output (ON characteristics) (OFF characteristics) current −1000m lO/lI =20 −500m Ta=100˚C V)−200m 25˚C (VO (on)−100m −40˚C E : −50m G TA −20m OL V −10m UT −5m P T U O −2m −1m −100µ−200µ−500µ−1m −2m −5m−10m−20m −50m−100m OUTPUT CURRENT : IO (A) Fig.4 Output voltage vs. output current 2/2
Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: R OHM Semiconductor: IMB9AT110 UMB9NTN