Datasheet下载- 型号： SMUN5114DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5114DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5114DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5114DW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5114DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5114DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5114DW1T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。该器件具有高集成度和精确的偏置特性，适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景： 1. 信号切换与放大 - SMUN5114DW1T1G 可用于音频、视频或其他低频信号的切换和放大。其预偏置特性使其在模拟信号处理中表现出色，能够稳定地控制信号增益和输出。 2. 电源管理 - 在电源管理系统中，该器件可用于电流检测、限流保护或电压调节等场景。其高精度的偏置能力有助于实现稳定的电源输出。 3. 传感器接口 - 该型号适合用作传感器信号的前置放大器或缓冲器。例如，在温度、压力或光敏传感器的应用中，它可以帮助放大微弱的输入信号以提高测量精度。 4. 通信设备 - 在通信领域，SMUN5114DW1T1G 可用于调制解调器、收发器或其他射频/中频电路中，提供高效的信号处理能力。 5. 消费电子产品 - 该器件常用于便携式设备（如耳机放大器、遥控器等）中的小型化电路设计。其低功耗和高可靠性特点非常适合电池供电的产品。 6. 工业控制 - 在工业自动化系统中，SMUN5114DW1T1G 可用于驱动继电器、小型电机或作为逻辑电平转换器，确保设备运行的稳定性。 7. 汽车电子 - 该型号也可应用于汽车电子系统中，例如车载音响、灯光控制或传感器信号处理等领域，满足汽车级产品的严格要求。 总之，SMUN5114DW1T1G 凭借其预偏置设计和高性能表现，广泛适用于需要精确电流控制和信号放大的各种电子应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5114DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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