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Datasheet下载- 型号： BLF6G27-75,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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BLF6G27-75,112产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G27-75,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G27-75,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G27-75,112封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 600mA 9W LDMOST。您可以下载BLF6G27-75,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G27-75,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.出品的BLF6G27-75,112是一款射频MOSFET晶体管，主要应用于高功率射频系统中。该器件适用于广播、工业加热、等离子体生成、射频能量应用以及无线基础设施等领域。其高耐压和大功率处理能力，使其在需要高效能和高稳定性的射频放大器设计中表现出色，尤其适合用于27MHz至75MHz频率范围内的射频功率放大应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF6G27-75,112 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8652 |
| 功率-输出 | 9W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | 18A |
