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  • 型号: BLF2425M7LS250P,11
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF2425M7LS250P,11由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF2425M7LS250P,11价格参考。NXP SemiconductorsBLF2425M7LS250P,11封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF2425M7LS250P,11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF2425M7LS250P,11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF2425M7LS250P,11 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管,主要应用于工业、科学和医疗(ISM)频段以及无线基础设施中的射频功率放大。该器件工作频率范围覆盖 2.4 GHz 至 2.5 GHz,特别适用于 2.45 GHz ISM 频段应用。

典型应用场景包括:射频能量系统(如感应加热、等离子发生、微波炉)、工业加热设备、医疗射频治疗设备(如肿瘤消融)、科研实验装置以及高效率射频电源系统。其高输出功率(可达数百瓦)、高效率和出色的热稳定性使其在连续波(CW)和脉冲工作模式下均表现出色。

此外,BLF2425M7LS250P,11 采用先进的 LDMOS 技术,具备良好的抗负载失配能力和可靠性,适合在严苛环境下长期运行。其封装形式为螺钉固定式陶瓷封装,便于高效散热,适用于高功率密度设计。

总之,该器件广泛用于需要高稳定性和高功率输出的工业与医疗射频系统中,是 2.45 GHz 高功率射频放大应用的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWER LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF2425M7LS250P,11

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT539B

其它名称

934065979112

功率-输出

250W

包装

散装

噪声系数

-

增益

15dB

封装/外壳

SOT539B

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

-

频率

2.4GHz ~ 2.5GHz

额定电流

-

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