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  • 型号: BF556A,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BF556A,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BF556A,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF556A,215价格参考。NXP SemiconductorsBF556A,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet N 通道 JFET TO-236AB(SOT23)。您可以下载BF556A,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF556A,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BF556A,215 是由 NXP(恩智浦)生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。该型号主要应用于高频和射频领域,具有以下典型应用场景:

 1. 射频放大器
   - BF556A,215 常用于射频信号放大器的设计中,适用于低噪声放大器(LNA)或功率放大器的前置级。
   - 其高频率特性使其适合处理 AM/FM、短波广播、业余无线电等射频信号。

 2. 混频器与振荡器
   - 在射频电路中,该晶体管可用于构建混频器,实现频率转换。
   - 它还可以用作射频振荡器的核心元件,生成稳定的高频信号。

 3. 调制与解调电路
   - BF556A,215 可用于调制解调器的设计,支持 AM(幅度调制)、FM(频率调制)等信号的调制和解调功能。

 4. 无线通信设备
   - 该型号适用于低功耗、小型化的无线通信设备,如对讲机、无线麦克风、遥控器等。
   - 它能够处理射频信号的发射和接收,确保信号的稳定性和可靠性。

 5. 测试与测量设备
   - 在频谱分析仪、信号发生器等测试设备中,BF556A,215 可用于射频信号的生成和处理。

 6. 业余无线电项目
   - 由于其出色的射频性能,BF556A,215 广泛应用于业余无线电爱好者的 DIY 项目中,例如自制收音机、发射机等。

 特性总结:
- 工作频率范围广,适合高频应用。
- 低噪声性能,适用于精密射频电路。
- 小型封装,便于集成到紧凑型设备中。

总之,BF556A,215 是一款专为射频应用设计的高性能晶体管,广泛应用于通信、测试、音频等领域,尤其适合需要处理高频信号的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

JFET N-CH 30V 7MA SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS

产品分类

RF FET分离式半导体

Id-连续漏极电流

7 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF556A,215-

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产品型号

BF556A,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

250 mW

Pd-功率耗散

250 mW

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 30 V

Vgs=0时的漏-源电流

3 mA to 7 mA

产品

RF JFET

产品种类

射频JFET晶体管

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-6165-1

功率-输出

-

功率耗散

250 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

噪声系数

-

增益

-

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

JFET

最大工作温度

+ 150 C

最大漏极/栅极电压

- 30 V

标准包装

1

漏源电压VDS

30 V

电压-测试

-

电压-额定

30V

电流-测试

-

类型

Silicon

配置

Single

闸/源击穿电压

- 30 V

闸/源截止电压

- 0.5 V to - 7.5 V

零件号别名

BF556A T/R

频率

-

额定电流

7mA

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