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  • 型号: BLF7G21LS-160P,112
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G21LS-160P,112由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G21LS-160P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G21LS-160P,112封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF7G21LS-160P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G21LS-160P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BLF7G21LS-160P,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET 类型。该型号专为高频射频应用设计,具有高功率处理能力、高增益和高效率的特点。以下是其主要应用场景:

 1. 射频功率放大器
   - BLF7G21LS-160P 广泛应用于射频功率放大器中,尤其是在 L 波段(约 1.2 至 1.4 GHz)范围内。它能够提供高达 160W 的输出功率,适用于需要高功率输出的通信系统。
   - 常见于基站、无线电中继站和其他无线通信设备中。

 2. 广播系统
   - 在 FM 和电视广播领域,该器件可以作为功率放大器的核心组件,用于增强信号强度,确保覆盖范围更广。
   - 它支持高效的能量转换,降低系统能耗。

 3. 航空与国防
   - 该型号适合雷达系统中的功率放大器模块,例如气象雷达、空中交通管制雷达等。
   - 还可用于军事通信设备中,以实现长距离、高可靠性的数据传输。

 4. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域
   - 在 ISM 频段内,BLF7G21LS-160P 可用于加热、焊接、干燥等工业应用。
   - 医疗设备中也可能用到此器件,例如超声波设备或射频治疗仪器。

 5. 测试与测量设备
   - 射频信号发生器和分析仪中可能使用该器件来生成或放大测试信号。
   - 它能帮助工程师准确评估射频电路性能。

 技术优势
- 高效率:在典型工作条件下,效率可达 60% 以上,减少散热需求。
- 宽动态范围:支持多种调制方式,适应复杂信号环境。
- 可靠性强:经过严格测试,能够在恶劣环境下稳定运行。

总结来说,BLF7G21LS-160P 是一款高性能射频功率晶体管,适用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS LDMOS SOT1121B

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

产品图片

产品型号

BLF7G21LS-160P,112

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

LDMOST

其它名称

934065241112

功率-输出

45W

包装

管件

噪声系数

-

增益

18dB

封装/外壳

SOT-1121B

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

20

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

1.08A

频率

1.93GHz ~ 1.99GHz

额定电流

32.5A

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