ATF-35143-TR1G产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-35143-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-35143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-35143-TR1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet pHEMT FET 2V 15mA 2GHz 18dB 10dBm SOT-343。您可以下载ATF-35143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-35143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ATF-35143-TR1G是由Broadcom Limited生产的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET晶体管类别。该器件专为低噪声、高增益的射频放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。

其典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、Wi-Fi 5 GHz频段系统（如802.11a/n/ac）、点对点和点对多点微波通信、卫星通信系统、低功率射频接收前端以及宽带射频放大器等。由于具备极低的噪声系数（典型值0.45 dB @ 2 GHz）和较高的增益（约17 dB @ 2 GHz），ATF-35143-TR1G非常适合用于对信号灵敏度要求高的接收机前端，提升系统整体信噪比。

此外，该器件工作电压较低（通常为3V或5V），功耗小，适合电池供电或对能效敏感的应用。其频率适用范围宽（DC至4 GHz以上），可用于多频段射频设计。封装形式为SOT-343小型表面贴装封装，节省电路板空间，便于高密度集成。

综上，ATF-35143-TR1G主要适用于需要高线性度、低噪声和稳定增益的中高频射频放大场景，尤其在高性能无线基础设施和宽带通信设备中表现优异。

ATF-35143-TR1G产品简介：

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其典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、Wi-Fi 5 GHz频段系统（如802.11a/n/ac）、点对点和点对多点微波通信、卫星通信系统、低功率射频接收前端以及宽带射频放大器等。由于具备极低的噪声系数（典型值0.45 dB @ 2 GHz）和较高的增益（约17 dB @ 2 GHz），ATF-35143-TR1G非常适合用于对信号灵敏度要求高的接收机前端，提升系统整体信噪比。

此外，该器件工作电压较低（通常为3V或5V），功耗小，适合电池供电或对能效敏感的应用。其频率适用范围宽（DC至4 GHz以上），可用于多频段射频设计。封装形式为SOT-343小型表面贴装封装，节省电路板空间，便于高密度集成。

综上，ATF-35143-TR1G主要适用于需要高线性度、低噪声和稳定增益的中高频射频放大场景，尤其在高性能无线基础设施和宽带通信设备中表现优异。