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Datasheet下载- 型号： PEMH10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PEMH10,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH10,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH10,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 是一家知名的半导体制造商，其型号为 PEMH10,115 的器件属于预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列。这种器件通常集成了一个或多个BJT晶体管以及用于偏置的电阻器，适用于需要简化电路设计和节省PCB空间的场合。 PEMH10,115 的典型应用场景包括： 1. 开关电路：适用于数字电路中的开关控制，如驱动LED、继电器或小型电机等负载。 2. 逻辑电平转换：在不同电压逻辑系统之间进行信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号。 3. 放大电路：用于小信号放大，如音频信号的前置放大或传感器信号的调理。 4. 接口电路：在微控制器与外围设备之间提供接口驱动能力，增强信号驱动能力和抗干扰能力。 5. 工业控制：如PLC模块、工业传感器输出级等，用于提高稳定性和集成度。 6. 消费类电子产品：如家电、智能设备中的控制电路，用于实现高效、小型化设计。 由于该器件采用预偏置设计，减少了外部元件数量，提高了可靠性，适合高密度和高效率要求的电子系统设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH10,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11265-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH10 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
