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Datasheet下载- 型号： PEMH10,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PEMH10,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMH10,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMH10,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMH10,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMH10,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMH10,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMH10,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R1）和基极-集电极电阻（R2），实现内置偏置网络，无需外部偏置元件。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（如ARM、AVR、PIC）GPIO端口驱动LED、小型继电器或光耦输入级，简化电路设计； 2. 开关电源中的辅助控制电路：用于PWM信号整形、反馈信号调理或待机控制回路中的高速开关； 3. 工业I/O模块与传感器接口：作为光电编码器、限位开关或数字传感器的信号缓冲/反相/电平适配单元； 4. 消费电子中的负载开关与状态指示：如智能家电面板LED驱动、电池电量指示、USB设备状态灯控制等； 5. 汽车电子低功耗子系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车身控制模块（BCM）中非安全关键的信号切换功能（如门锁提示、阅读灯控制）。 该器件采用SOT-666封装，体积小、热性能优，支持高密度PCB布局；典型VCEO=50V，IC=100mA，开关速度快（ton/toff约数十纳秒），兼具成本效益与设计简洁性，广泛用于对可靠性、尺寸和BOM精简有要求的中低功率通用开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMH10,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMH10,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11265-1 |
| 典型电阻器比率 | 0.047 |
| 典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMH10 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
