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Datasheet下载- 型号： PEMF21,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PEMF21,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMF21,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMF21,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMF21,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN 预偏压式，1 PNP 50V，12V 100mA，500mA 280MHz 300mW 表面贴装 SOT-666。您可以下载PEMF21,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMF21,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置、型号为PEMF21,115的器件，是一种集成预偏置电阻的双极型晶体管阵列，常用于需要简化电路设计、提高稳定性和节省PCB空间的场景。 该器件典型应用场景包括： 1. 开关电路：适用于数字电路中的开关控制，如驱动LED、继电器或小型电机等负载，预偏置设计可省去外部偏置电阻，简化电路结构。 2. 信号放大：在低频信号放大电路中作为前置放大器使用，适用于音频设备、传感器信号调理等场合。 3. 逻辑电平转换：用于不同电压逻辑系统之间的信号转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V逻辑信号驱动后续电路。 4. 嵌入式系统与消费电子：广泛应用于手机、平板电脑、智能家居设备等低功耗电子产品中，实现高效、稳定的信号处理与控制功能。 5. 汽车电子：适用于车载控制模块、传感器接口、车载娱乐系统等对可靠性要求较高的场景。 PEMF21,115的预偏置特性使其具备更高的集成度与稳定性，特别适合空间受限、设计要求简洁的高量产应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PEMF21,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA / 250mV @ 10mA， 200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 200 @ 10mA，2V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-2173-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 280MHz |
