Datasheet下载- 型号： PEMB24,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMB24,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMB24,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMB24,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMB24,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMB24,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMB24,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻网络（含R1/R2），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（如ARM、PIC、ESP32）I/O口与外部负载（LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的缓冲和电平适配，简化外围偏置电路设计； 2. LED/指示灯驱动：两路独立通道可分别控制多色LED或状态指示灯，内置基极-发射极并联电阻（R2）确保可靠关断，避免误触发； 3. 开关电源辅助电路：在DC-DC转换器中用作使能信号分配、故障检测信号整形或反馈路径中的简单开关； 4. 消费电子与IoT设备：适用于空间受限的便携设备（如智能手表、无线传感器节点），实现低功耗、高集成度的信号切换与负载控制； 5. 工业控制板卡：作为PLC输入/输出模块中的隔离级后端驱动元件，配合光耦完成数字信号放大与驱动。 该器件具有±50 mA连续集电极电流、50 V集电极-发射极电压、典型增益（hFE）为80–250，支持-65°C至+150°C工作温度，兼具可靠性与易用性，显著减少PCB元件数量与设计复杂度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMB24,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058917115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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