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Datasheet下载- 型号： IRFHS8342TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFHS8342TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHS8342TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHS8342TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHS8342TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.8A（Ta），19A（Tc） 2.1W（Ta） PG-TSDSON-6。您可以下载IRFHS8342TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHS8342TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFHS8342TR2PBF 是一款高性能的功率MOSFET，属于单N沟道场效应晶体管（FET），广泛应用于高效率、高频率的电源转换系统中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热性能，适合在紧凑空间内实现高效能设计。 其典型应用场景包括：车载电源系统，如车载DC-DC转换器、车载充电机（OBC）和48V电源架构，适用于新能源汽车和混合动力汽车；工业电源设备，如服务器电源、电信整流器和高密度开关电源（SMPS）；此外，也常用于太阳能逆变器、电机驱动和UPS（不间断电源）系统中，以提升整体能效并降低功耗。 IRFHS8342TR2PBF采用先进的封装技术，具备良好的散热能力和可靠性，可在高温和高负载环境下稳定运行，满足严苛的工业与汽车级应用要求。其优化的栅极设计有助于减少开关损耗，提高系统效率，是现代高效能电力电子系统的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFNMOSFET MOSFT 30V 8.5A 16mOhm 4.2 Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHS8342TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHS8342TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PQFN（2x2） |
| 其它名称 | IRFHS8342TR2PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 5.2 ns |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/pqfn2x2.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.8A （Ta）， 19A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhs8342.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhs8342.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
