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Datasheet下载- 型号： PEMD9,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PEMD9,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD9,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD9,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD9,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PEMD9,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD9,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
品牌为Nexperia USA Inc.、分类为晶体管-双极（BJT）-阵列-预偏置的型号PEMD9,115，是一种集成预偏置电阻的双极型晶体管阵列器件，常用于需要高效、稳定开关或放大功能的电子电路中。 该器件的典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口电路：由于内置预偏置电阻，PEMD9,115可简化电路设计，用于数字电路与模拟电路之间的信号转换，例如将微控制器输出的逻辑信号驱动至不同电压域的负载。 2. 继电器或LED驱动电路：在需要控制中低功率负载（如LED、小型继电器）的场合，该晶体管阵列可作为开关使用，减少外围元件数量，提高系统可靠性。 3. 电源管理与负载开关：适用于电源管理系统中的负载切换，例如在电池供电设备中控制不同模块的供电状态。 4. 工业自动化控制：用于PLC（可编程逻辑控制器）或传感器模块中，实现信号放大或控制输出。 5. 消费类电子产品：如家电控制板、智能穿戴设备等对空间和功耗有要求的场景，PEMD9,115因其小型封装和集成特性而具有优势。 总之，该器件凭借其集成度高、使用简便、稳定性强的特点，广泛应用于需要高效开关控制与信号处理的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD9,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD9,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-11264-6 |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 10 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD9 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
