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  • 型号: BUK9Y15-100E,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9Y15-100E,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y15-100E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y15-100E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y15-100E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 69A(Tc) 195W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK9Y15-100E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9Y15-100E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

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产品型号

BUK9Y15-100E,115

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6139pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45.8nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14.7 毫欧 @ 20A,10V

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-10972-2
934067036115
BUK9Y15-100E,115-ND

功率-最大值

195W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

标准包装

1,500

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

69A (Tc)

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