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  • 型号: ZVN4424A
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4424A由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4424A价格参考。Diodes Inc.ZVN4424A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVN4424A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVN4424A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3MOSFET N-Chnl 240V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

260 mA

Id-连续漏极电流

260 mA

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4424A-

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产品型号

ZVN4424A

Pd-PowerDissipation

750 mW

Pd-功率耗散

750 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

6 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

6 Ohms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

240 V

Vds-漏源极击穿电压

240 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 40 V

Vgs-栅源极击穿电压

40 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.5 欧姆 @ 500mA,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-92-3

其它图纸

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

750mW

包装

散装

商标

Diodes Incorporated

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

6 Ohms

封装

Bulk

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3 标准主体

封装/箱体

TO-92-3

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

240 V

漏极连续电流

260 mA

漏源极电压(Vdss)

240V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

260mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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