| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVN4424A由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVN4424A价格参考。Diodes Inc.ZVN4424A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZVN4424A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZVN4424A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZVN4424A是Diodes Incorporated生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率的开关和放大电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关,用于高效控制电流流动。 2. 电机驱动:在小型电机或步进电机驱动电路中作为开关元件使用。 3. LED照明:用于LED驱动电路中的开关控制,实现调光或通断控制。 4. 信号开关:在模拟或数字电路中用于信号路径的切换。 5. 消费类电子产品:如电源适配器、小型家电、智能控制器等设备中。 6. 工业控制:用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业自动化系统中。 该器件具有低导通电阻、高速开关特性和良好的热稳定性,适合多种通用和中功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3MOSFET N-Chnl 240V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 260 mA |
| Id-连续漏极电流 | 260 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVN4424A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVN4424A |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 240 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 240 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 40 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 欧姆 @ 500mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 6 Ohms |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 240 V |
| 漏极连续电流 | 260 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 240V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 260mA (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |