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型号： STN1NF10
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STN1NF10产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STN1NF10由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STN1NF10价格参考￥1.52-￥1.75。STMicroelectronicsSTN1NF10封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223。您可以下载STN1NF10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STN1NF10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STN1NF10是一款单N沟道增强型MOSFET，适用于多种电子电路中的开关和功率控制应用。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中，实现高效能的能量转换与调节。

2. 负载开关：作为电子开关控制小型负载，如LED灯、小型电机或继电器，具备快速开关特性和低导通电阻。

3. 保护电路：在过流、过压或反向电压保护电路中用作控制元件，提升系统安全性和可靠性。

4. 嵌入式系统：广泛应用于消费类电子产品（如智能家电、玩具、便携设备）中的微控制器外围电路，实现对外部设备的控制。

5. 工业控制：在自动化设备、传感器模块及小型执行机构中用作驱动元件，支持工业控制系统中的信号处理与功率输出。

6. 汽车电子：用于车身控制模块、车载娱乐系统等非关键性汽车电子系统中，满足一定的环境适应性和稳定性要求。

该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低，适合高密度PCB布局，适用于中低功率场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223MOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	1 A
品牌	STMicroelectronics
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STN1NF10STripFET™ II
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	STN1NF10
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
RdsOn-漏源导通电阻	800 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	5.5 ns
下降时间	6.5 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	105pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	6nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	800 毫欧 @ 500mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SOT-223
其它名称	497-14747-6
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64666?referrer=70071840
典型关闭延迟时间	13 ns
功率-最大值	2.5W
包装	Digi-Reel®
单位重量	124.600 mg
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	800 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
封装/箱体	SOT-223-3
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	1 S
汲极/源极击穿电压	100 V
漏极连续电流	1 A
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1A （Tc）
系列	STN1NF10
通道模式	Enhancement
配置	Single Dual Drain