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Datasheet下载- 型号： PBLS6003D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBLS6003D,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBLS6003D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBLS6003D,115价格参考。NXP SemiconductorsPBLS6003D,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP。您可以下载PBLS6003D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBLS6003D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的型号为 PBLS6003D,115 的器件属于晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置类电子元件。该器件集成了一个或多个预偏置双极性晶体管阵列，常用于需要稳定开关性能和逻辑电平转换的电路中。 PBLS6003D,115 的主要应用场景包括： 1. 逻辑电平转换：用于不同电压域之间的信号转换，例如将3.3V逻辑信号转换为5V，以驱动更高电压的外设。 2. 接口电路：在微控制器与外围设备之间提供电气隔离与信号适配，提升系统兼容性和稳定性。 3. LED驱动：适用于需要多路控制的LED指示灯或显示屏驱动电路，提供可靠的开关控制。 4. 继电器或负载开关控制：作为低边开关，用于控制继电器、小型电机或其他负载的开启与关闭。 5. 工业控制与自动化设备：广泛应用于PLC、传感器接口、工业仪表等对可靠性要求较高的场合。 6. 消费类电子产品：如家电控制板、智能插座、遥控器等，用于信号处理与功率控制。 该器件具有集成度高、响应速度快、功耗低等优点，适合空间受限且对性能有要求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP/NPN 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBLS6003D,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 500µA， 10mA / 340mV @ 100mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 500mA，5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7251-1 |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 PNP |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA， 100nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | 185MHz |
