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Datasheet下载- 型号： BUK625R2-30C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK625R2-30C,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK625R2-30C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK625R2-30C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK625R2-30C,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 128W（Tc） DPAK。您可以下载BUK625R2-30C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK625R2-30C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK625R2-30C,118 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，以实现高效的能量转换。 2. 电机控制：在电动工具、电动车及工业自动化设备中，用于控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制电池供电设备中的负载连接与断开。 4. 照明系统：应用于LED照明驱动电路中，提供稳定的电流控制。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET采用小型化封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和耐用性，适合工业与车载环境使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK625R2-30C,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | 568-9625-6 |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
