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SI6968BEDQ-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI6968BEDQ-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI6968BEDQ-T1-E3价格参考。VishaySI6968BEDQ-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 N 沟道(双)共漏 Mosfet 阵列 20V 5.2A 1W 表面贴装 8-TSSOP。您可以下载SI6968BEDQ-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI6968BEDQ-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI6968BEDQ-T1-E3 是一款双N沟道功率MOSFET阵列器件,常用于需要高效、高集成度开关控制的电子系统中。该器件采用TSSOP封装,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和优良的热性能,适合多种电源管理和负载切换应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的H桥驱动电路。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源路径管理。 4. 工业控制系统:用于PLC模块、继电器替代方案及自动化设备中的开关控制。 5. 负载开关与热插拔控制:实现对高电流通路的快速、安全控制。 6. 汽车电子:用于车载充电系统、车身控制模块等要求高可靠性的场合。 该器件因集成两个MOSFET于单一芯片中,节省PCB空间,降低设计复杂度,是高性能、紧凑型电源设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOPMOSFET 20V 6.5A 1.5W |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72274 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI6968BEDQ-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI6968BEDQ-T1-E3SI6968BEDQ-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 330 ns |
| 下降时间 | 510 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | SI6968BEDQ-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 860 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSSOP-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A |
| 系列 | SI6968BEDQ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI6968BEDQ-E3 |