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型号： PSMN102-200Y,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PSMN102-200Y,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN102-200Y,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN102-200Y,115价格参考￥6.55-￥6.55。NXP SemiconductorsPSMN102-200Y,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 200V 21.5A（Tc） 113W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN102-200Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN102-200Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN102-200Y,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其主要应用场景包括：

1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于提高能源转换效率。
2. 电机控制：在电动工具、电动车及工业自动化设备中作为电机驱动开关使用。
3. 电池充电系统：用于锂电池充放电保护电路，确保电池安全运行。
4. 负载开关应用：如服务器、计算机主板上的电源开关，实现对不同模块的供电控制。
5. 照明系统：在LED照明驱动电路中用作高频开关元件，提升调光精度与效率。

该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（200V）以及良好的热稳定性，适合在高温或严苛环境下工作。同时，其封装形式（如TO-220或类似标准封装）便于散热设计和安装，提升了整体系统的稳定性和寿命。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PSMN102-200Y,115
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1568pF @ 30V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30.7nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	102 毫欧 @ 12A，10V
供应商器件封装	LFPAK56， Power-SO8
其它名称	568-6544-2 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115
功率-最大值	113W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	SC-100，SOT-669，4-LFPAK
标准包装	1,500
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	21.5A （Tc）