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PMV60EN,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV60EN,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV60EN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV60EN,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 4.7A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)。您可以下载PMV60EN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMV60EN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 PMV60EN,215 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) - 单类别。该器件的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - PMV60EN,215 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于低电压和低功耗的电源管理应用。它可以在开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中用作开关或调节元件。 - 其低导通电阻特性使其能够高效地控制电流流动,减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中,PMV60EN,215 可以作为功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。 - 它适合用于消费电子设备中的风扇、泵或其他小型直流电机控制。 3. 负载开关 - 该 MOSFET 可用于负载开关应用,例如在便携式设备中动态开启或关闭某些功能模块(如显示屏、传感器等),以实现节能目的。 - 其快速开关能力和低漏电流特性有助于提高系统的效率和稳定性。 4. 电池保护与管理 - 在电池供电设备中,PMV60EN,215 可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流流动。 - 它能够确保电池的安全运行,并延长电池寿命。 5. 信号切换 - 由于其良好的开关性能,该 MOSFET 还可以用于信号切换电路,例如音频信号切换、数据线路切换等。 6. 汽车电子 - 在汽车电子领域,PMV60EN,215 可用于车身控制模块中的各种低功率应用,如照明控制、座椅调节、车窗升降等。 特点总结: - 额定电压:支持较高的漏源极电压,适用于多种低压应用场景。 - 低导通电阻:减少功率损耗,提高系统效率。 - 紧凑封装:适合空间受限的设计,便于集成到小型化产品中。 综上所述,PMV60EN,215 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及便携式设备等领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23MOSFET N-CH TRENCH 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.7 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV60EN,215TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMV60EN,215 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 5.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 55 毫欧 @ 2A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-2357-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.7A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMV60EN T/R |