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  • 型号: PMV60EN,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMV60EN,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMV60EN,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV60EN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV60EN,215封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 4.7A(Tc) 280mW(Tj) TO-236AB(SOT23)。您可以下载PMV60EN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMV60EN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 PMV60EN,215 的晶体管属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管) - 单类别。该器件的应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - PMV60EN,215 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于低电压和低功耗的电源管理应用。它可以在开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、线性稳压器等电路中用作开关或调节元件。
   - 其低导通电阻特性使其能够高效地控制电流流动,减少能量损耗。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机驱动应用中,PMV60EN,215 可以作为功率开关来控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 它适合用于消费电子设备中的风扇、泵或其他小型直流电机控制。

 3. 负载开关
   - 该 MOSFET 可用于负载开关应用,例如在便携式设备中动态开启或关闭某些功能模块(如显示屏、传感器等),以实现节能目的。
   - 其快速开关能力和低漏电流特性有助于提高系统的效率和稳定性。

 4. 电池保护与管理
   - 在电池供电设备中,PMV60EN,215 可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流流动。
   - 它能够确保电池的安全运行,并延长电池寿命。

 5. 信号切换
   - 由于其良好的开关性能,该 MOSFET 还可以用于信号切换电路,例如音频信号切换、数据线路切换等。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子领域,PMV60EN,215 可用于车身控制模块中的各种低功率应用,如照明控制、座椅调节、车窗升降等。

 特点总结:
   - 额定电压:支持较高的漏源极电压,适用于多种低压应用场景。
   - 低导通电阻:减少功率损耗,提高系统效率。
   - 紧凑封装:适合空间受限的设计,便于集成到小型化产品中。

综上所述,PMV60EN,215 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及便携式设备等领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场合表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23MOSFET N-CH TRENCH 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.7 A

Id-连续漏极电流

4.7 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV60EN,215TrenchMOS™

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产品型号

PMV60EN,215

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

55 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

55 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

7 ns

下降时间

5.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

55 毫欧 @ 2A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-2357-1

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

PMV60EN T/R

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