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详细数据请看参考数据手册

型号： BSR56,215
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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BSR56,215产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSR56,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSR56,215价格参考。NXP SemiconductorsBSR56,215封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 40V 20mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载BSR56,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSR56,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BSR56,215 是 NXP USA Inc.（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道结型场效应晶体管（JFET），常用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。其主要应用场景包括：

1. 音频放大电路：由于 JFET 具有较低的噪声和高线性度，BSR56,215 常用于前置音频放大器、麦克风前置放大器等对音质要求较高的场合。

2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为模拟信号路径中的开关元件，适用于需要低失真和高稳定性的模拟信号控制电路。

3. 传感器接口电路：在压力、温度、光敏等传感器信号采集系统中，BSR56,215 可用于构建高输入阻抗的缓冲器或放大器，提升信号采集精度。

4. 测试与测量设备：在示波器、信号发生器、万用表等精密仪器中，用于构建高阻抗探头缓冲器或信号调理电路。

5. 射频（RF）前端电路：虽然不是高频专用器件，但在低频至中频段的射频接收电路中，也可用于信号放大和阻抗匹配。

BSR56,215 因其良好的稳定性和低噪声特性，在需要高保真信号处理的电子设备中具有广泛的应用价值。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	JFET N-CH 40V 20MA 250MW SOT23JFET TAPE7 FET-RFSS
产品分类	JFET（结点场效应分离式半导体
FET类型	N 沟道
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,JFET,NXP Semiconductors BSR56,215-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BSR56,215
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	250 mW
Pd-功率耗散	250 mW
RdsOn-Drain-SourceResistance	25 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	25 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vds-漏源极击穿电压	40 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	40 V
Vgs-栅源极击穿电压	40 V
Vgs=0时的漏-源电流	50 mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）	4V @ 0.5nA
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)	50mA @ 15V
不同Vds时的输入电容(Ciss)	-
产品种类	JFET
供应商器件封装	SOT-23 (TO-236AB)
其它名称	568-8488-1
功率-最大值	250mW
功率耗散	250 mW
包装	剪切带（CT）
商标	NXP Semiconductors
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	25 Ohms
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	SOT-23
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最大漏极/栅极电压	40 V
标准包装	1
漏极电流(Id)-最大值	20mA
漏源极电压(Vdss)	40V
漏源电压VDS	40 V
电压-击穿(V(BR)GSS)	40V
电阻-RDS（开）	25 欧姆
配置	Single
闸/源击穿电压	40 V
闸/源截止电压	4 V to 10 V
零件号别名	BSR56 T/R