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Datasheet下载- 型号： PSMN012-80BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN012-80BS,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN012-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN012-80BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN012-80BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 74A（Tc） 148W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN012-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN012-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN012-80BS,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on)典型值仅1.2 mΩ @ VGS=10 V）、高雪崩耐量及优异热性能。其主要应用场景包括： - 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST电路，提升转换效率并降低温升； - 电机驱动与负载开关：适用于BLDC电机控制器、电动工具、风扇驱动等中高电流（连续ID达120 A）场合，支持快速开关与过流保护； - 电池管理系统（BMS）：用作电池保护回路中的充放电主控开关，凭借低RDS(on)减小压降与功耗，延长续航； - LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动或调光模块中实现高效、低噪声的PWM开关控制； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：该型号为工业级，非车规；若用于车载需确认具体版本），常见于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动等12V/24V系统。 其80V额定电压、强抗dv/dt能力及无铅兼容封装，兼顾可靠性与环保要求，适合空间受限且对能效敏感的中大功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 74A D2PAKMOSFET N-CH 80 V 11MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 74 A |
| Id-连续漏极电流 | 74 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN012-80BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN012-80BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 148 W |
| Pd-功率耗散 | 148 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 73 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 73 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2782pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9697-6 |
| 功率-最大值 | 148W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 73 V |
| 漏极连续电流 | 74 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 74A （Tmb） |
