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PMBFJ113,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBFJ113,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBFJ113,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBFJ113,215封装/规格:晶体管 - JFET, JFET N-Channel 40V 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)。您可以下载PMBFJ113,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBFJ113,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBFJ113 和 PMBFJ215 是 NXP(恩智浦)公司生产的 JFET(结型场效应晶体管)。这类器件因其低噪声、高输入阻抗和线性性能,在多种应用场景中表现出色。以下是它们的主要应用场景: 1. 音频信号放大 - PMBFJ113 和 PMBFJ215 常用于音频前置放大器,特别是在需要低噪声和高保真度的场景中。例如,麦克风放大器、乐器拾音器和高端音响设备。 - 它们的高输入阻抗特性可以减少信号源的负载效应,从而提高音频质量。 2. 射频(RF)电路 - 这些 JFET 适用于低功率射频应用,如无线通信模块中的小信号放大器或混频器。 - 它们具有良好的线性特性和低失真性能,适合处理高频信号。 3. 模拟开关 - PMBFJ113 和 PMBFJ215 可用作模拟开关,控制信号路径的选择。其低导通电阻和快速开关速度使其在多路复用器和信号路由中表现优异。 4. 传感器接口 - 在传感器信号调理电路中,这些 JFET 能够提供高精度和低噪声的信号放大。例如,压力传感器、温度传感器和光电二极管的信号处理。 5. 电源管理 - 尽管不是主要用途,但这些 JFET 可以用作简单的恒流源或限流保护电路,适用于一些低功耗设备。 6. 数据采集系统 - 在数据采集系统中,PMBFJ113 和 PMBFJ215 可作为输入缓冲器,将高阻抗信号转换为低阻抗信号,以驱动后续的 ADC(模数转换器)。 总结 PMBFJ113 和 PMBFJ215 的主要特点包括低噪声、高输入阻抗和良好的线性性能,因此广泛应用于音频、射频、传感器接口和模拟信号处理等领域。具体选择取决于电路设计需求和工作频率范围。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | JFET N-CH 40V 300MW SOT23射频JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS |
| 产品分类 | JFET(结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-连续漏极电流 | 2 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors PMBFJ113,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBFJ113,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 2 mA |
| 不同Id时的电压-截止(VGS关) | 3V @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 2mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6pF @ 10V(VGS) |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6482-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 漏源电压VDS | 40 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 40V |
| 电阻-RDS(开) | 100 欧姆 |
| 类型 | Silicon |
| 闸/源击穿电压 | - 40 V |
| 闸/源截止电压 | - 0.5 V |
| 零件号别名 | PMBFJ113 T/R |