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  • 型号: FQD7N10LTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQD7N10LTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7N10LTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD7N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD7N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD7N10LTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:FQD7N10LTM 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件,提供高效的电压转换。
   - 开关电源 (SMPS):作为功率级开关器件,应用于离线式开关电源中,支持高效能量传递。
   - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,实现快速开启/关闭和低功耗。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:用于驱动风扇、泵等小型直流电机,提供精确的速度控制和方向切换。
   - H 桥电路:在 H 桥配置中使用,实现双向电机控制。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:用作电池组的充放电保护开关,防止过流、短路或过充。
   - 电量监测:通过低导通电阻特性,减少功率损耗,提高电池效率。

 4. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑适配器:作为功率开关,用于适配器中的功率转换和稳压功能。
   - 家用电器:如吸尘器、空气净化器等设备中的功率控制模块。

 5. 工业应用
   - 逆变器:用于小型光伏逆变器或 UPS 系统中的功率开关。
   - 继电器替代:利用其快速开关特性和长寿命优势,替代传统机械继电器。

 6. 汽车电子
   - 车载充电器:为电动汽车或混合动力汽车中的车载充电器提供高效功率转换。
   - 照明系统:用于 LED 驱动电路,提供稳定的电流输出。

 特性总结
FQD7N10LTM 的低 Rds(on)(典型值为 8.5mΩ),高耐压能力(100V)以及出色的热稳定性使其非常适合需要高效能和小体积的应用场景。此外,其 SOT223 封装形式便于散热设计,适合紧凑型产品开发。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.8 A

Id-连续漏极电流

5.8 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD7N10LTMQFET®

数据手册

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产品型号

FQD7N10LTM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

350 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

350 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

100 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

290pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

350 毫欧 @ 2.9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD7N10LTMDKR

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

2.5W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

4.6 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.8A (Tc)

系列

FQD7N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQD7N10LTM_NL

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