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DMC6070LFDH-7产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMC6070LFDH-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMC6070LFDH-7价格参考。Diodes Inc.DMC6070LFDH-7封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 60V 3.1A,2.4A 1.4W 表面贴装 V-DFN3030-8。您可以下载DMC6070LFDH-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMC6070LFDH-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMC6070LFDH-7是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,适用于多种电源管理和开关控制应用场景。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好热性能的特点,适合对空间和能效要求较高的设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关或电池管理系统中,实现高效电能转换与分配。 2. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,具备良好的开关特性和耐压能力。 3. 负载开关控制:可用于智能电源管理设备中,控制外设或模块的供电启停,降低待机功耗。 4. 工业自动化与消费电子:如PLC模块、传感器接口、便携式设备等,提供紧凑高效的功率控制解决方案。 5. 热插拔应用:由于其低导通电阻和快速响应特性,适用于服务器或通信设备中的热插拔电源控制。 该器件采用DFN封装,体积小、散热性能好,适合表面贴装工艺,广泛应用于高密度PCB设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 8POWERDI |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMC6070LFDH-7 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 731pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 85 毫欧 @ 1.5A,10V |
| 供应商器件封装 | PowerDI3030-8 |
| 其它名称 | DMC6070LFDH-7DIDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.1A, 2.4A |