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型号： PSMN015-100P,127
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PSMN015-100P,127产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN015-100P,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN015-100P,127价格参考￥10.77-￥10.77。NXP SemiconductorsPSMN015-100P,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB。您可以下载PSMN015-100P,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN015-100P,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN015-100P,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（R_DS(on)典型值仅11.5 mΩ @ V_GS=10 V，14.5 mΩ @ 4.5 V）、高电流能力（I_D连续达75 A）及快速开关特性。其主要应用场景包括：

- 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、服务器/通信电源的同步整流、DC-DC降压转换器（Buck）的主开关或续流开关，提升效率并降低温升；  
- 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速控制，尤其适合12–48 V工业/家电电机控制系统；  
- 负载开关与电源管理：在嵌入式系统、工控设备中用作板级电源的智能启停、热插拔保护及反向电流阻断；  
- LED照明驱动：作为恒流调光开关或大功率LED阵列的PWM调光主控器件；  
- 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电回路的保护开关（如过流/短路切断），得益于其低R_DS(on)和稳健雪崩耐量。

该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU直接驱动），具备100 V额定漏源电压、强抗雪崩能力（UIS额定）及AEC-Q101可靠性认证（部分批次），亦适用于汽车电子辅助系统（如车灯控制、泵/风扇驱动）。其TO-220封装便于散热设计，适合中高功率密度应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PSMN015-100P,127
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	4900pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	90nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	15 毫欧 @ 25A，10V
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	568-5771 568-5771-5 568-5771-ND 934055640127 PSMN015-100P PSMN015-100P,127-ND PSMN015-100P-ND
功率-最大值	300W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	75A （Tmb）