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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN230N20T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN230N20T价格参考。IXYSIXFN230N20T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN230N20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN230N20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN230N20T是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效、高功率密度的电力电子系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效地进行电能转换和调节。 2. 电机驱动:在工业自动化、电动汽车、电动工具等场合中,作为电机控制电路中的开关元件,实现对电机速度和转矩的精确控制。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中,将直流电转换为交流电,提供稳定可靠的电力输出。 4. 电池管理系统(BMS):在高功率电池组中用于充放电控制与保护,确保电池安全高效运行。 5. 工业控制与自动化设备:用于PLC、伺服驱动器等设备中,作为功率开关元件,实现快速响应和高可靠性控制。 该MOSFET具有高电流容量(230A)、高耐压(200V)和低导通电阻的特点,适合高效率、高功率密度的设计需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 230A 200V SOT-227MOSFET 230A 200V |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 230 A |
Id-连续漏极电流 | 230 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN230N20TGigaMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFN230N20T |
Pd-PowerDissipation | 1.09 kW |
Pd-功率耗散 | 1.09 kW |
Qg-GateCharge | 378 nC |
Qg-栅极电荷 | 378 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 35 ns |
下降时间 | 29 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 378nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 60A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SOT-227B |
典型关闭延迟时间 | 104 ns |
功率-最大值 | 1090W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 38 g |
商标 | IXYS |
商标名 | GigaMOS |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
封装/箱体 | SOT-227B-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 10 |
正向跨导-最小值 | 100 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 220A |
系列 | IXFN230N20 |
通道模式 | Enhancement |